1.MOSFETの特性について
静電容量特性 MOSFET は、ゲートがシリコン酸化膜で絶縁されている構造であるため、ドレイン、ゲート、ソースの各端子間には、右図に示すような静電容量が存在します。 Ciss は入力容量、Crss は帰還容量、Coss は出力容量です。この容量は、MOSFET のスイッチング性能に影響を及ぼします。 MOSFET 電気的特性（電荷容量特性）について Qg/Qgs1/Qgd/QSW/QOSS ■ゲート電荷容量特性 MOSFETは入力端子ゲートG が絶縁されていますので、ゲート端子から見た電荷量Q が重要なパラメーターになります。 ■ゲート入力電荷量Qg ゲート電圧が、ゼロから指定された電圧となるまでの総電荷量です。 後に実験しますがR6025ANZは VDD=300V ID=25A VGS＝10V の時 88nCになっています。 ■ゲート・ソース間電荷量 1 Qgs1 ゲートに電圧を印加してからミラー期間の手前までにゲート・ソース間容量を充電する電荷量です。 ■ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd ドレイン・ソース間電圧が低下しゲート・ドレイン間の容量を充電するミラー期間の電荷量です。 ■ゲートスイッチ電荷量 Qsw Vth を超えてミラー期間が終わるまでのゲート蓄積電荷量です。 ■出力電荷量Qoss ドレイン・ソース間の電荷量です。 |
2.MOSFET R6025ANZ の動作
下記回路はBHカーブトレーサーの回路です。 
〇の部分でR3とMOSFETのゲートが今回のRC回路にあてはまります。R4については 回路を簡単にすると右図のようになります。 |